Alumīnija cinka oksīda izsmidzināšanas mērķi
Alumīnija cinka oksīda izsmidzināšanas mērķi
Alumīnija cinka oksīda izsmidzināšanas mērķi Izstrādājot caurspīdīgas vadošās plēves, plaši tiek izmantoti AZO (Al2O3-ZnO) mērķi, kas var aizstāt ITO. AZO caurspīdīgās vadošās plēves joslas sprauga ir 3,4 eV un raksturīgās absorbcijas robeža ir 360 nm, ko var izmantot kā logu slāņa materiālu plānās -plēves akumulatoriem. Tā plašās joslas atstarpes funkcija var samazināt gaismas absorbciju p, n- tipa leģētajos reģionos un uzlabot gaismas enerģijas izmantošanas ātrumu. Tajā pašā laikā AZO caurspīdīgajai vadošajai plēvei ir zema pretestība un augsta redzamās gaismas caurlaidība, padarot to par labu priekšējā caurspīdīgā slāņa materiālu. Tajā pašā laikā AZO piemīt arī augsta plazmas stabilitāte, vienkārša sagatavošanas tehnoloģija un netoksiskas un nekaitīgas izejvielas, kas padara AZO plašāku izmantošanu plānslāņa saules bateriju jomā.
Alumīnija cinka oksīda izsmidzināšanas mērķi Attēls:
Mūsu uzņēmums var nodrošināt klientiem augstas -tīrības, augsta-blīvuma un vienmērīgi sakārtotus AZO mērķus, kā arī AZO mērķu un aizmugures plakņu saistošo pakalpojumu.
Tips | produkta nosaukums | Formula | Tīrība | Kušanas punkts | Blīvums (g/cc) | Pieejamās formas |
Oksīdi | Alumīnija oksīds | Al2O3 | 4N | 2045 | 4 | Mērķis, daļiņa |
Bismuta (III) oksīds | Bi2O3 | 4N | 820 | 8.9 | Mērķis, daļiņa | |
Hroma (III) oksīds | Cr2O3 | 4N | 2435 | 5.2 | Mērķis, daļiņa | |
Erbija oksīds | Er2O3 | 4N | 2378 | 8.64 | Mērķis, daļiņa | |
Hafnija oksīds | HfO2 | 4N | 2812 | 9.7 | Mērķis, daļiņa | |
Indija alvas oksīds | ITO | 4N | 1565 | 7.6 | Mērķis | |
Magnija oksīds | MgO | 4N | 2800 | 3.58 | Mērķis, daļiņa | |
Niobija pentoksīds | Nb2O5 | 4N | 1530 | 4.47 | Mērķis, daļiņa | |
Neodīma (III) oksīds | Nd2O3 | 4N | 2272 | 7.2 | Mērķis, daļiņa | |
Niķeļa oksīds | NiO | 4N | 1990 | 7.45 | Mērķis, daļiņa | |
Skandija oksīds | Sc2O3 | 4N | 2480 | 3.86 | Mērķis, daļiņa | |
Silīcija oksīds | SiO | 4N | 1702 | 2.13 | Mērķis, daļiņa | |
Silikona dioksīds | SiO2 | 4N | 1610 | 2.2 | Mērķis, daļiņa, kristāls | |
Samarija (III) oksīds | Sm2O3 | 4N | 2350 | 7.4 | Mērķis, daļiņa | |
Tantala pentoksīds | Ta2O5 | 4N | 1800 | 8.7 | Mērķis, daļiņa | |
Titāna dioksīds | TiO2 | 4N | 1800 | 4.29 | Mērķis, daļiņa | |
Titāna (V) oksīds | Ti3O5 | 4N | 1750 | 4.57 | Mērķis, daļiņa | |
Vanādija (V) oksīds | V2O5 | 4N | 690 | 3.36 | Mērķis, daļiņa | |
Itrija (III) oksīds | Y2O3 | 4N | 2680 | 4.8 | Mērķis, daļiņa | |
Cinka oksīds | ZnO | 4N | 1975 | 5.6 | Mērķis, daļiņa | |
Ar alumīniju{0}}leģētu cinka oksīdu | AZO | 4N | \ | 5.4 | Mērķis | |
Cirkonija dioksīds | ZrO2 | 4N | 2700 | 5.5 | Mērķis, daļiņa | |
Fluors | Bārija fluorīds | BaF2 | 4N | 1280 | 4.8 | Mērķis, daļiņa |
Kalcija fluorīds | CaF2 | 4N | 1360 | 3.13 | Mērķis, daļiņa | |
Cērija fluorīds | CeF3 | 4N | 1418 | 6.16 | Mērķis, daļiņa | |
Kālija fluorīds | KF | 4N | 880 | 2.48 | Mērķis, daļiņa | |
Lantāna (III) fluorīds | LaF3 | 4N | 1490 | 6 | Mērķis, daļiņa | |
Magnija fluorīds | MgF2 | 4N | 1266 | 4.2 | Mērķis, daļiņa | |
Nātrija fluorīds | NaF | 4N | 988 | 2.79 | Mērķis, daļiņa | |
Citi | Bārija titanāts | BaTiO3 | 4N | 1620 | 3.96 | Mērķis, daļiņa |
Stroncija titanāts | SrTiO3 | 4N | 2080 | 5.12 | Mērķis, daļiņa | |
Cinka sulfīds | ZnS | 4N | 1830 | 4.1 | Mērķis, daļiņa | |
Silīcija nitrīds | Si3N4 | 4N | sublimācija | 3.44 | Mērķis, daļiņa | |
Titāna nitrīds | TiN | 4N | 2950 | 5.43 | Mērķis, daļiņa | |
Alumīnija nitrīds | AlN | 4N | sublimācija | 3.26 | Mērķis, daļiņa | |
Bora nitrīds | BN | 4N | 3000 | 2.25 | Mērķis, daļiņa | |
Slikona karbīds | SiC | 4N | 2700 | 3.22 | Mērķis |
Populāri tagi: Alumīnija cinka oksīda izsmidzināšanas mērķi, piegādātāji, ražotāji, rūpnīca, pielāgota, vairumtirdzniecība, cena, piedāvājums, pārdošana
Nosūtīt pieprasījumu
